点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
工厂包装数量：25
上升时间：100 ns
功率耗散：200 W
下降时间：150 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba
以上是2SK1489(Q)的详细信息，包括2SK1489(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
