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2SK1359(F)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3 PN
数量：
 6606  
说明：
 MOSFET N-Ch FET RDS 3.0 Ohm IDSS 300uA VDSS 1kV
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2SK1359(F) PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：18 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-3 PN
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.8 Ohms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK1359(F)的详细信息，包括2SK1359(F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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