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2SJ665-DL-1EX

厂家：: onsemi
封装：: TO-263-2
数量：: 5940
说明：: MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2

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中文参数如下：
：150°C（TA）
功率耗散（最大值）：65W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4200 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：74 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：77 毫欧 @ 14A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Ta）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

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