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中文参数如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 欧姆 @ 10mA, 4V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：12pF @ 3V
功率 - 最大：100mW
安装类型：表面贴装
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