2SJ058200L

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 欧姆 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：400pF @ 20V
功率 - 最大：10W
安装类型：表面贴装

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