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2N7000P

厂家：
  Diodes Inc. / Zetex
封装：
 TO-92
数量：
 3870  
说明：
 MOSFET -
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2N7000P-TO-92图片

2N7000P PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：400 mW
最小工作温度：- 55 C
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
漏极连续电流：0.2 A
闸/源击穿电压：40 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

以上是2N7000P的详细信息，包括2N7000P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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