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2N7000,126

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 TO-92-3
数量：
 3798  
说明：
 MOSFET TRENCH 31V-99V G2
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2N7000,126 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
功率耗散：830 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Ammo Pack
封装形式：SOT-54
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5000 mOhms
漏极连续电流：0.3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

以上是2N7000,126的详细信息，包括2N7000,126厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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