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中文参数如下:
工厂包装数量:500
包装形式:Box
最大功率耗散:5 W
封装形式:TO-39
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:40
增益带宽产品fT:50 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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