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中文参数如下:
包装形式:Box
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:1000 mW
直流电流增益 hFE 最大值:80 at 50 mA at 1 V
封装形式:TO-237
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:80 at 50 mA at 1 V, 50 at 250 mA at 1 V, 20 at 500 mA at 1 V
增益带宽产品fT:500 MHz
最大直流电集电极电流:1 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
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