首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > 2N6719 TRE

2N6719 TRE

厂家：
  Central Semiconductor
封装：
 TO-237
数量：
 801  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Med Power
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
2N6719 TRE-TO-237图片

2N6719 TRE PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Box
最大功率耗散：2 W
封装形式：TO-237
安装风格：SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
增益带宽产品fT：30 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：300 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V
集电极—基极电压 VCBO：300 V
晶体管极性：NPN
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N6719 TRE的详细信息，包括2N6719 TRE厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTC044TUBTL
  • DTA043TUBTL
  • DTC123YCA-HF
  • DTA123YCA-HF
  • DTA143XCA-HF
  • DTC114WCA-HF
  • DTC113ZCA-HF
  • DTC143XCA-HF
  • DTC114YCA-HF
  • DTA114YCA-HF

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      2N6724

      达林顿晶体管 NPN Darlington

    • 暂无电子元件图

      2N6725

      达林顿晶体管 NPN Darlington

    • 暂无电子元件图

      2N6726

      两极晶体管 - BJT Complimentary Power

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC