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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
包装形式:Box
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:1000 mW
直流电流增益 hFE 最大值:60 at 0.1 A at 1 V
封装形式:TO-237
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:60 at 0.1 A at 1 V, 50 at 1 A at 1 V
增益带宽产品fT:500 MHz
最大直流电集电极电流:2 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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