2N5770_D26Z

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92-3
数量：: 1764
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor

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2N5770_D26Z PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
集电极连续电流：50 mA
封装形式：TO-92-3 Kinked Lead
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20 at 3 mA at 1 V
最大直流电集电极电流：0.05 A
集电极—射极饱和电压：15 V
发射极 - 基极电压 VEBO：4.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V
集电极—基极电压 VCBO：30 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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