2N5770_D27Z

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92-3
数量:
 1773  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor
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2N5770_D27Z PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:350 mW
集电极连续电流:50 mA
封装形式:TO-92-3 Kinked Lead
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:20 at 3 mA at 1 V
最大直流电集电极电流:0.05 A
集电极—射极饱和电压:15 V
发射极 - 基极电压 VEBO:4.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V
集电极—基极电压 VCBO:30 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5770_D27Z的详细信息,包括2N5770_D27Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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