2N5114UB/TR

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 
数量:
 6990  
说明:
 JFET P-CH 30V UB
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
2N5114UB/TR-图片

2N5114UB/TR PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
封装:UB
封装/外壳:3-SMD,无引线
安装类型:表面贴装型
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
功率 - 最大值:500 mW
电阻 - RDS(On):75 Ohms
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):10 V @ 1 nA
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):90 mA @ 18 V
漏源电压(Vdss):30 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30 V
FET 类型:P 通道
产品状态:在售
包装:Military, MIL-PRF-19500
系列:卷带(TR)
品牌:Microchip Technology

以上是2N5114UB/TR的详细信息,包括2N5114UB/TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC