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2N5115

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：
数量：: 8880
说明：: JFET 30V 10pA

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2N5115 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：TO-18
封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
安装类型：通孔
工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
功率 - 最大值：500 mW
电阻 - RDS(On)：100 Ohms
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA
漏极电流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 15 V
漏源电压（Vdss）：30 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：Central Semiconductor Corp

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