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中文参数如下:
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:1 mW
封装形式:TO-39
最大工作温度:+ 200 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:10 at 5 mA at 25 V, 35 at 30 mA at 25 V, 35 at 100 mA at 25 V
增益带宽产品fT:30 MHz (Min)
最大直流电集电极电流:0.15 A
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V
集电极—基极电压 VCBO:300 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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