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中文参数如下:
最大功率耗散:5 W
集电极连续电流:150 mA
封装形式:TO-39
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:10
增益带宽产品fT:160 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:250 V
晶体管极性:NPN
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor
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