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中文参数如下:
工厂包装数量:20
包装形式:Sleeve
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:150000 mW
直流电流增益 hFE 最大值:25
集电极连续电流:10 A
封装形式:TO-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:25 at 1 A at 2 V, 15 at 3 A at 2 V
增益带宽产品fT:4 MHz
最大直流电集电极电流:10 A
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
集电极—基极电压 VCBO:80 V
晶体管极性:PNP
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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