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中文参数如下:
认证机构:
封装封装/外壳:TO-78-6 金属罐
安装类型:通孔
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
频率 - 跃迁:100MHz
功率 - 最大值:600mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 1mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 1mA,100μA
电压 - 集射极击穿(最大值):60V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50mA
晶体管类型:2 PNP(双)
产品状态:停产
包装:-
系列:散装
品牌:Central Semiconductor Corp
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