| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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2SD2143TL | ROHM Semiconductor | CPT3 | 4,047 | 达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|不适用于新设计|NPN - 达林顿|2 A|60 V|... | ||||||
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2SD1980TL | ROHM Semiconductor | CPT3 | 9,332 | 达林顿晶体管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|不适用于新设计|NPN - 达林顿|2 A|100 V... | ||||||
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2SD1866TV2 | ROHM Semiconductor | ATV | 达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A | ||
| 参数：Rohm Semiconductor|带盒（TB）|-|停产|NPN - 达林顿|2 A|60 V|1.5V @ 1mA，1A|1μA（ICBO）|1000 @... | ||||||
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2SD1867TV2 | ROHM Semiconductor | ATV | 达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A | ||
| 参数：Rohm Semiconductor|带盒（TB）|-|停产|NPN - 达林顿|2 A|100 V|1.5V @ 1mA，1A|10μA（ICBO）|1000... | ||||||
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2SD1861TV2 | ROHM Semiconductor | ATV | 达林顿晶体管 DARL NPN 40V 2A | ||
| 参数：Rohm Semiconductor|带盒（TB）|-|停产|NPN - 达林顿|2 A|40 V|1.5V @ 1.2mA，600mA|1μA（ICBO）|1... | ||||||
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2SD1383KT146B | ROHM Semiconductor | SMT3 | 2,987 | 达林顿晶体管 NPN 32V 0.3A | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|NPN - 达林顿|300 mA|32 V|1.... | ||||||
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2SD1026-4112 | Shindengen | MTO-3P | 达林顿晶体管 V=100 IC=15 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极 - 基极电压 VEBO... | ||||||
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2SD1026-7100 | Shindengen | MTO-3P | 达林顿晶体管 V=100 IC=15 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SD1026-7112 | Shindengen | MTO-3P | 达林顿晶体管 V=100 IC=15 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V，发射极... | ||||||
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2SD1027-7100 | Shindengen | MTO-3P | 达林顿晶体管 V=200 IC=15 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V，发射极... | ||||||
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2SD1027-7112 | Shindengen | MTO-3P | 达林顿晶体管 V=200 IC=15 HFE=1500 | ||
| 参数：制造商：Shindengen，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V，发射极... | ||||||
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2SC2062STPC | ROHM Semiconductor | SPT | 达林顿晶体管 DARL NPN 32V 0.3A | ||
| 参数：Rohm Semiconductor|剪切带（CT）,带盒（TB）|-|停产|NPN - 达林顿|300 mA|32 V|1.4V @ 200μA，200mA|... | ||||||
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2SD1834T100 | ROHM Semiconductor | MPT3 | 3,394 | 达林顿晶体管 DARL NPN 60V 1A | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|NPN - 达林顿|1 A|60 V|1.5V ... | ||||||
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2SB1682(Q) | Toshiba | TO-3 | 达林顿晶体管 PNP 160V 2A Transistor | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V，发射极 - ... | ||||||
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2SD2212T100 | ROHM Semiconductor | MPT3 | 达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A | ||
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|不适用于新设计|NPN - 达林顿|2 A|60 V|... | ||||||
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2SD1409A(F) | Toshiba | TO-220 NIS | 达林顿晶体管 NPN 400V 6A Transistor | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V，发射极 - ... | ||||||
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2SD2470TP | ROHM Semiconductor | SC-72 | 达林顿晶体管 NPN 10V 5A | ||
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：1... | ||||||
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2N6668G | ON Semiconductor | TO-220-3 | 达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：80 ... | ||||||
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2N6667G | ON Semiconductor | TO-220 | 达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power PNP | ||
| 参数：onsemi|管件|-|停产|PNP - 达林顿|10 A|60 V|3V @ 100mA，10A|1mA|1000 @ 5A，3V|2 W|-|-65°C ~... | ||||||
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2SB1580T100 | ROHM Semiconductor | MPT3 | 达林顿晶体管 DARL PNP 100V 2A | ||
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|不适用于新设计|PNP - 达林顿|2 A|100 V... | ||||||
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