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2SB1682(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3
数量：
 837  
说明：
 达林顿晶体管 PNP 160V 2A Transistor
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2SB1682(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
直流集电极/Base Gain hfe Min：500
包装形式：Reel
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
最大集电极截止电流：10 uA
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—基极电压 VCBO：160 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Toshiba

以上是2SB1682(Q)的详细信息，包括2SB1682(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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