图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ULN2003AIPWR | Texas Instruments | 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi Vltg HiCrrnt Darl Transistor Array | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003AIPWRE4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003AIPWRG4 | Texas Instruments | 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003AN | Texas Instruments | 16-DIP(0.300",7.62mm) | 4,565 | 达林顿晶体管 Darlington | ||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ANE4 | Texas Instruments | 16-DIP(0.300",7.62mm) | 达林顿晶体管 Darlington | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ANSR | Texas Instruments | 16-SOIC(0.209",5.30mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ANSRE4 | Texas Instruments | 16-SOIC(0.209",5.30mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003ANSRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC(0.209",5.30mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003APG(5,M) | Toshiba | PDIP-16 | 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC | |||
参数:制造商:Toshiba,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V,最大直流电集... | ||||||
ULN2003APG(C,N,HZA | Toshiba | DIP-16 | 达林顿晶体管 7-Circuit 2.7kOhm 500mA 50V VCE 1K HFE | |||
参数:制造商:Toshiba,RoHS:是,配置:Array,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.6 V,功率耗散:1.47 W,最大工作温度:... | ||||||
ULN2003APG(O,M) | Toshiba | DIP-16 | 达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS | |||
参数:制造商:Toshiba,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,功率耗散:0.76 W,最大工作温度:+ 85 C,安装... | ||||||
ULN2003APG(O,NHZ) | Toshiba | DIP-16 | 391 | 达林顿晶体管 7-Ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS | ||
参数:制造商:Toshiba,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,功率耗散:0.76 W,最大工作温度:+ 85 C,安装... | ||||||
ULN2003APG(SC,M) | Toshiba | PDIP-16 | 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC | |||
参数:制造商:Toshiba,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V,最大直流电集... | ||||||
ULN2003APW | Texas Instruments | 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003APWE4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003APWG4 | Texas Instruments | 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003APWR | Texas Instruments | 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003APWRE4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003APWRG4 | Texas Instruments | 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5... | ||||||
ULN2003D1 | STMicroelectronics | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 达林顿晶体管 Seven NPN Array | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V,最大直流电集电... |
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