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点击查看ULN2003AIPWR参考图片 ULN2003AIPWR Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 达林顿晶体管 Hi Vltg HiCrrnt Darl Transistor Array
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003AIPWRE4参考图片 ULN2003AIPWRE4 Texas Instruments TSSOP-16 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003AIPWRG4参考图片 ULN2003AIPWRG4 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003AN参考图片 ULN2003AN Texas Instruments 16-DIP(0.300",7.62mm) 4,565 达林顿晶体管 Darlington
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ANE4参考图片 ULN2003ANE4 Texas Instruments 16-DIP(0.300",7.62mm) 达林顿晶体管 Darlington
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ANSR参考图片 ULN2003ANSR Texas Instruments 16-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ANSRE4参考图片 ULN2003ANSRE4 Texas Instruments 16-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003ANSRG4参考图片 ULN2003ANSRG4 Texas Instruments 16-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003APG(5,M)参考图片 ULN2003APG(5,M) Toshiba PDIP-16 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC
参数:制造商:Toshiba,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V,最大直流电集...
点击查看ULN2003APG(C,N,HZA参考图片 ULN2003APG(C,N,HZA Toshiba DIP-16 达林顿晶体管 7-Circuit 2.7kOhm 500mA 50V VCE 1K HFE
参数:制造商:Toshiba,RoHS:是,配置:Array,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.6 V,功率耗散:1.47 W,最大工作温度:...
点击查看ULN2003APG(O,M)参考图片 ULN2003APG(O,M) Toshiba DIP-16 达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS
参数:制造商:Toshiba,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,功率耗散:0.76 W,最大工作温度:+ 85 C,安装...
点击查看ULN2003APG(O,NHZ)参考图片 ULN2003APG(O,NHZ) Toshiba DIP-16 391 达林顿晶体管 7-Ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS
参数:制造商:Toshiba,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,功率耗散:0.76 W,最大工作温度:+ 85 C,安装...
ULN2003APG(SC,M) Toshiba PDIP-16 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC
参数:制造商:Toshiba,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V,最大直流电集...
点击查看ULN2003APW参考图片 ULN2003APW Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003APWE4参考图片 ULN2003APWE4 Texas Instruments TSSOP-16 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003APWG4参考图片 ULN2003APWG4 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003APWR参考图片 ULN2003APWR Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003APWRE4参考图片 ULN2003APWRE4 Texas Instruments TSSOP-16 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003APWRG4参考图片 ULN2003APWRG4 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
参数:制造商:Texas Instruments,产品种类:达林顿晶体管,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5...
点击查看ULN2003D1参考图片 ULN2003D1 STMicroelectronics 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 达林顿晶体管 Seven NPN Array
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:是,配置:Array 7,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V,最大直流电集电...

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