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中文参数如下:
输出类型:TTL, CMOS
最小工作温度:- 40 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:1000
包装形式:Tube
封装形式:DIP-16
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 85 C
功率耗散:1.47 W
集电极—发射极最大电压 VCEO:1.6 V
晶体管极性:NPN
配置:Array
RoHS:是
制造商:Toshiba
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