| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ULN2003AFWG(5,EL,M | Toshiba | SOP-16 | 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... | ||||||
.JPG)
|
ULN2003AFWG(5,M) | Toshiba | 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，工厂包装数量：2000，... | ||||||
|
|
ULN2003AFWG(O,EL,M | Toshiba | 达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
_sml.jpg)
|
ULN2003AFWG(O,M) | Toshiba | 达林顿晶体管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
ULN2003AFWG(O,NEHZ | Toshiba | 达林顿晶体管 Darlington 500mA 2.7kOhm 1000 HFE | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
ULN2003AFWG(ONEHZA | Toshiba | 达林顿晶体管 INTERFACE DRIVER PB-FREE W / TTL | |||
| 参数：制造商：Toshiba，... | ||||||
|
|
ULN2003AFWG(SC,ELM | Toshiba | SOP-16 | 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... | ||||||
|
|
ULN2003AFWG(SC,M) | Toshiba | SOP-16 | 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V，最大直流电集... | ||||||
|
ULN2003AID | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULN2003AIDE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULN2003AIDG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULN2003AIDR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 26,762 | 达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULN2003AIDRE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULN2003AIDRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
ULN2003AIN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 达林顿晶体管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
ULN2003AINE4 | Texas Instruments | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |||
| 参数：Texas Instruments|管件|*|在售|... | ||||||
|
ULN2003AINSR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） | 达林顿晶体管 HI-VLTG,HI-CURRENT DAR TRANSISTOR ARRAY | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
ULN2003AIPW | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
ULN2003AIPWE4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
|
|
ULN2003AIPWG4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 2341 | 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Array 7，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：5... | ||||||
39/84 首页 上页 [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] 下页 尾页
