首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 达林顿晶体管 > ULN2003AFWG(5,EL,M

ULN2003AFWG(5,EL,M

厂家：
  Toshiba
封装：
 SOP-16
数量：
 1737  
说明：
 达林顿晶体管 7CH. 50V/.5A IFD IC
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

ULN2003AFWG(5,EL,M PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2000
最小工作温度：- 40 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：1000
包装形式：Reel
封装形式：SOP-16
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 85 C
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
晶体管极性：NPN
配置：Array 7
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Toshiba

以上是ULN2003AFWG(5,EL,M的详细信息，包括ULN2003AFWG(5,EL,M厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

最新产品：

  • 9-1423162-4
  • CPC2330NTR
  • MBRF1590CT C0G
  • SN74HCS244QWRKSRQ1
  • AMPDEGH-A06T3
  • ML620Q156-609TBZWARL
  • PSMN1R4-30YLDX
  • W25Q256JWEIM TR
  • 72V02L25J
  • BZT52C11-E3-18

    • 相近型号推荐

    • ULN2003AID图片

      ULN2003AID

      达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays

    • ULN2003AIDE4图片

      ULN2003AIDE4

      达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays

    • ULN2003AIDG4图片

      ULN2003AIDG4

      达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays

    • ULN2003AIDR图片

      ULN2003AIDR

      达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC