| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF7G20LS-140P,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.15Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|1.81GHz ~ 1.88GHz|17.5dB|28 V|-|-|850 mA|60W... | ||||||
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BLF7G20LS-140P,118 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.15Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|1.81GHz ~ 1.88GHz|17.5dB|28 V|-|-|850 mA... | ||||||
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BLF7G20LS-160P,112 | NXP Semiconductors | SOT-1121B | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.15Ohms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2 GHz，增益：17.5 dB，输出功率：135 W... | ||||||
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BLF7G20LS-160P,118 | NXP Semiconductors | SOT-1121B | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.15Ohms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2 GHz，增益：17.5 dB，输出功率：135 W... | ||||||
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BLF7G20LS-200,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.093Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|最后售卖|LDMOS|-|1.81GHz ~ 1.88GHz|18dB|28 V|-|-|1.62 A|55W|65... | ||||||
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BLF7G20LS-200,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.093Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|最后售卖|LDMOS|-|1.81GHz ~ 1.88GH... | ||||||
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BLF7G20LS-250P,112 | NXP Semiconductors | SOT539B | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.078Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|1.81GHz ~ 1.88GHz|18dB|28 V|65A|-|1.9 A|70W|... | ||||||
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BLF7G20LS-250P,118 | NXP Semiconductors | SOT539B | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.078Ohms | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|1.81GHz ~ 1.88GHz|18dB|28 V|65A|-|1.9 A|... | ||||||
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BLF7G20LS-90P,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|1.81GHz ~ 1.88GHz|19.5dB|28 V|18A|-|550 mA|4... | ||||||
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BLF7G20LS-90P,118 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|1.81GHz ~ 1.88GHz|19.5dB|28 V|18A|-|550 ... | ||||||
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BLF7G21L-160,112 | NXP Semiconductors | SOT-1121A | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2.05 GHz，增益：18 dB，输出功率：50 W... | ||||||
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BLF7G21L-160,118 | NXP Semiconductors | SOT-1121A | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2.05 GHz，增益：18 dB，输出功率：50 W... | ||||||
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BLF7G21L-160P,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|双，共源|1.93GHz ~ 1.99GHz|18dB|28 V|32.5A|-|1.08 A|4... | ||||||
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BLF7G21L-160P,118 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|1.93GHz ~ 1.99GHz|18dB|28 V|32.5A|-|1.08... | ||||||
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BLF7G21LS-160,112 | NXP Semiconductors | SOT1121B | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2.05 GHz，增益：18 dB，输出功率：50 W... | ||||||
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BLF7G21LS-160,118 | NXP Semiconductors | SOT1121B | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：1.8 GHz to 2.05 GHz，增益：18 dB，输出功率：50 W... | ||||||
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BLF7G21LS-160P,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|1.93GHz ~ 1.99GHz|18dB|28 V|32.5A|-|1.08 A|4... | ||||||
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BLF7G21LS-160P,118 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|1.93GHz ~ 1.99GHz|18dB|28 V|32.5A|-|1.08... | ||||||
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BLF7G22L-100P,112 | NXP Semiconductors | SOT1121A | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，增益：19.1 dB，输出功率：20 W，... | ||||||
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BLF7G22L-100P,118 | NXP Semiconductors | SOT1121A | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，增益：19.1 dB，输出功率：20 W，... | ||||||
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