BLF7G22L-100P,112

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT1121A
数量：: 1314
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor

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BLF7G22L-100P,112 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：20
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tube
封装形式：SOT-1121A
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：13 V
漏极连续电流：12.3 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：20 W
增益：19.1 dB
频率：2 GHz to 2.2 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
制造商：NXP

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