| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF6G38-10G,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|14dB|28 V|3.1A|-|130 mA|2W|65 V... | ||||||
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BLF6G38-10G,118 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 1 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|14... | ||||||
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BLF6G38-25 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G38-25,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|15dB|28 V|8.2A|-|225 mA|4.5W|65... | ||||||
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BLF6G38-50 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G38-50,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G38-50,135 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS WIMAX PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|14dB|28 V|16.5A|-|450 mA|9W... | ||||||
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BLF6G38LS-100 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G38LS-100,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|13dB|28 V|34A|-|1.05 A|18.5W|65... | ||||||
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BLF6G38LS-50 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G38LS-50,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|14dB|28 V|16.5A|-|450 mA|9W|65 ... | ||||||
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BLF6G38LS-50,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 TRANS WIMAX PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|14dB|28 V|16.5A|-|450 mA|9W... | ||||||
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BLF6G38S-25 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF6G38S-25,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|散装,托盘|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|15dB|28 V|8.2A|-|225 mA|4.5W... | ||||||
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BLF6G38S-25,118 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|3.4GHz ~ 3.6GHz|15dB|28 V|8.2A|-|225 mA|4.5... | ||||||
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BLF6H10L-160,112 | NXP Semiconductors | SOT467C | 射频MOSFET电源晶体管 700-1GHz 104V 20dB | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|952.5MHz ~ 957.5MHz|20dB|50 V|-|-|600 mA|38W|10... | ||||||
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BLF6H10LS-160,112 | NXP Semiconductors | SOT-467B | 射频MOSFET电源晶体管 700-1GHz 104V 20dB | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|952.5MHz ~ 957.5MHz|20dB|50 V|-|-|600 mA|38W|10... | ||||||
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BLF6H10LS-160,118 | NXP Semiconductors | SOT-467B | 射频MOSFET电源晶体管 700-1GHz 104V 20dB | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|952.5MHz ~ 957.5MHz|20dB|50 V|-|-|600 mA|38... | ||||||
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BLF7G10L-250,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|920MHz ~ 960MHz|19.5dB|30 V|-|-|1.8 A|60W|65 V|... | ||||||
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BLF7G10L-250,118 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|920MHz ~ 960MHz|19.5dB|30 V|-|-|1.8 A|60W|6... | ||||||
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