| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF4G10LS-120,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|920MHz ~ 960MHz|19dB|28 V|12A|-|650 mA|48W|65 V|底座安... | ||||||
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BLF4G10LS-160 | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF4G10LS-160,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|894.2MHz|19.7dB|28 V|15A|-|900 mA|160W|65 V|底座安装|SO... | ||||||
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BLF4G20-110B | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF4G20-110B,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|13.5dB|28 V|12A|-|700 mA|100W|65 ... | ||||||
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BLF4G20LS-110B | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF4G20LS-110B,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|13.4dB|28 V|12A|-|650 mA|100W|65 ... | ||||||
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BLF4G20LS-130 | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF4G20LS-130,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|14.6dB|28 V|15A|-|900 mA|130W|65 ... | ||||||
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BLF4G20S-110B | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF4G20S-110B,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|1.93GHz ~ 1.99GHz|13.5dB|28 V|12A|-|700 mA|100W|65 ... | ||||||
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BLF4G22LS-130 | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF4G22LS-130,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|13.5dB|28 V|15A|-|1.15 A|33W|65 V... | ||||||
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BLF4G22S-100 | NXP Semiconductors | SOT-502 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
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BLF4G22S-100,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|13.5dB|28 V|12A|-|900 mA|25W|65 V... | ||||||
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BLF521,112 | NXP Semiconductors | CRDB4 | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR UHF PWR DMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|MOSFET|N 通道|500MHz|13dB|12.5 V|1A|-|10 mA|2W|40 V|底座安装|... | ||||||
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BLF542,112 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 RF DMOS 5W UHF | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|MOSFET|N 通道|500MHz|16.5dB|28 V|1.5A|-|50 mA|5W|65 V|底座安... | ||||||
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BLF544,112 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 RF DMOS 20W UHF | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|MOSFET|N 通道|960MHz|7dB|28 V|3.5A|-|40 mA|20W|65 V|-|SOT... | ||||||
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BLF546 | NXP Semiconductors | SOT-268A | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-RFPR | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：500 MHz，增益：13 dB，输出... | ||||||
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BLF546,112 | NXP Semiconductors | CDFM4 | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-RFPR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|MOSFET|2 N 沟道（双）共源|500MHz|13dB|28 V|9A|-|80 mA|80W|65 V... | ||||||
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