| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PTFB241402F V1 R250 | Infineon Technologies | H-37248-4 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1200 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
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MW6IC2420NBR1 | Freescale Semiconductor | TO-272 WB-16 | 射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ 40W | ||
| 参数：制造商：Freescale Semiconductor，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：... | ||||||
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MW6S004NT1 | Freescale Semiconductor | PLD-1.5 | 射频MOSFET电源晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|LDMOS|-|1.96GHz|18dB|28 V|-|-|... | ||||||
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MW6S010GNR1 | Freescale Semiconductor | TO-270-2 鸥翼型 | 239 | 射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 10W | |
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|LDMOS|-|960MHz|18dB|28 V|-|-|1... | ||||||
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MW6S010NR1 | Freescale Semiconductor | TO-270-2 | 42 | 射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N | |
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|不适用于新设计|LDMOS|-|960MHz|18dB|28 V|... | ||||||
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MW7IC2425GNR1 | Freescale Semiconductor | TO-270 WBL-16 鸥翼型 | 射频MOSFET电源晶体管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|2.45GHz|-|27.7dB|-|ISM|28V|195mA|2.45GHz|表面贴装型|TO-270-1... | ||||||
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MW7IC2425NBR1 | Freescale Semiconductor | TO-272 WB-16 | 射频MOSFET电源晶体管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|2.45GHz|27.7dB|28 V|-|... | ||||||
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MW7IC2425NR1 | Freescale Semiconductor | TO-270 WBL-16 | 射频MOSFET电源晶体管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G | ||
| 参数：制造商：Freescale Semiconductor，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率... | ||||||
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NE55410GR-AZ | CEL | 16-HTSSOP | 射频MOSFET电源晶体管 N-Ch Power LDMOS FET | ||
| 参数：CEL|散装|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|13.5dB|28 V|250mA，1A|-|20 mA|35.4dBm|65 V|-|16-DFF，裸... | ||||||
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NE55410GR-T3-AZ | CEL | 16-HTSSOP | 射频MOSFET电源晶体管 Silicon Medium Pwr LDMOSFET | ||
| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|13.5dB|28 V|250mA，1A|-|20 mA|35.4dBm|65 V|-|16-D... | ||||||
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NE5520279A | NEC/CEL | 79A | 射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，漏极连续电流：0.6 A，闸/源击穿电压：5 V，封装形式：79A，... | ||||||
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NE5520279A-A | CEL | 79A | 射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power | ||
| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，漏极连续电流：0.6 A，闸/... | ||||||
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NE461M02 | CEL | 射频MOSFET电源晶体管 | |||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，... | ||||||
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NE461M02-AZ | CEL | SOT-89 | 射频MOSFET电源晶体管 NPN Low Distort Amp | ||
| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，晶体管极性：N-Channel，最大工作温度：... | ||||||
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NE461M02-T1 | NEC/CEL | SOT-89 | 射频MOSFET电源晶体管 NPN Low Distort Amp | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，封装形式：SOT-89，包装形式：Reel，安装风格：SMD/SMT，功率耗散：2 W，工厂包装数... | ||||||
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NE5511279A | NEC/CEL | 79A | 射频MOSFET电源晶体管 RO 551-NE5511279A-A | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：900 MHz，增益：15 dB，输出功率：40 dBm，汲极/源极击穿... | ||||||
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NE5511279A-A | CEL | 79A | 12 | 射频MOSFET电源晶体管 UHF Band RF Power | |
| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：900 MHz，增益：15 dB，... | ||||||
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NE5511279A-T1-A | CEL | 79A | 射频MOSFET电源晶体管 UHF Band RF Power | ||
| 参数：CEL|剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|900MHz|15dB|7.5 V|3A|-|400 mA|40dBm|20... | ||||||
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NE5520279A-T1-A | CEL | 79A | 射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power | ||
| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：15 V，漏极连续电流：0.6 A，闸/... | ||||||
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NE5520379A | NEC/CEL | 79A | 射频MOSFET电源晶体管 L&S Band LD-MOSFET | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：5 V，封装形式：79A，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：2.5 S，安装风格：S... | ||||||
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