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点击查看PTFB082817FH V1 R250参考图片 PTFB082817FH V1 R250 Infineon Technologies H-34288-4/2 射频MOSFET电源晶体管 LD9 280W 30V 791-821MHz
参数:制造商:Infineon,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,频率:791 MHz to 821 MHz,增益:19.3 dB,输出功率:60 ...
PTFB090901EA V1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,零件号别名:PTFB090901EAV1XWSA1 SP000978098,...
PTFB090901EA V1 R250 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,零件号别名:PTFB090901EAV1R250XTMA1 SP000978100,...
PTFB090901EAV1R250XTMA1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管
参数:制造商:Infineon,...
PTFB090901EAV1XWSA1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管
参数:制造商:Infineon,...
PTFB090901FA V1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,零件号别名:PTFB090901FAV1XWSA1 SP000978102,...
PTFB090901FA V1 R250 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,零件号别名:PTFB090901FAV1R250XTMA1 SP000978104,...
PTFB090901FAV1R250XTMA1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管
参数:制造商:Infineon,...
PTFB090901FAV1XWSA1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管
参数:制造商:Infineon,...
PTFB091507FH V1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,零件号别名:FB091507FHV1NP PTFB091507FHV1XWSA1 SP000902810,...
PTFB091507FH V1 R250 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,零件号别名:FB091507FHV1R25NT PTFB091507FHV1R250XTMA1 SP000902812,...
PTFB091507FHV1R250XTMA1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管
参数:制造商:Infineon,...
PTFB091507FHV1XWSA1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管
参数:制造商:Infineon,...
PTFB093608FV V1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,零件号别名:FB093608FVV1NP PTFB093608FVV1XWSA1 SP000921652,...
PTFB093608FV V1 R250 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,零件号别名:FB093608FVV1R25NT PTFB093608FVV1R250XTMA1 SP000921654,...
PTFB093608FVV1R250XTMA1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,...
PTFB093608FVV1XWSA1 Infineon Technologies 射频MOSFET电源晶体管
参数:制造商:Infineon,...
点击查看PTFB182503EL V1参考图片 PTFB182503EL V1 Infineon Technologies H-33288-6 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,配置:Single,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电流:1.85 A,闸/源击穿电压:1...
PTFB182503EL V1 R250 Infineon Technologies H-33288-6 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz
参数:制造商:Infineon,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,频率:1.8 GHz to 1.88 GHz,增益:19 dB,输出...
点击查看PTFB182503EL V2参考图片 PTFB182503EL V2 Infineon Technologies H-33288-6 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,配置:Single,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电流:1.85 A,闸/源击穿电压:1...

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