| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PTFA091203EL V4 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS 120W 920-960MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：17 dB，输出功率：120 W... | ||||||
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PTFA091503EL V4 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1250 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
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PTFA091503EL V4 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1250 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
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PTFA092201E V4 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA092201E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA092201EV1 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... | ||||||
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PTFA092201F V4 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA092201F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA092201FV1 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... | ||||||
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PTFA092211EL V4 | Infineon Technologies | H-33288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：12... | ||||||
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PTFA092211EL V4 R250 | Infineon Technologies | H-33288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：12... | ||||||
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PTFA092211FL V4 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：12... | ||||||
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PTFA092211FL V4 R250 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.5 A，闸/源击穿电压：12... | ||||||
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PTFA092213EL V4 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1850 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
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PTFA092213EL V4 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1850 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
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PTFA092213FL V4 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1850 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
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PTFA092213FL V4 R250 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1850 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
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PTFA092213FL V5 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 220W 920-960 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：17.5 dB，输出功率：50 ... | ||||||
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PTFA092213FL V5 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 220W 920-960 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：17.5 dB，输出功率：50 ... | ||||||
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PTFA142401ELV4 | Infineon Technologies | H-33288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：1.45 GHz to 1.5 GHz... | ||||||
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