| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB155N3H6 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
STB155N3LH6 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | 1 | MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB15N65M5 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11A Mdmesh V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，漏极连续电流... | ||||||
|
|
STB15N80K5 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
|
STB15NK50ZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
STB15NM60N | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB15NM60ND | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB15NM65N | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
STB160N75F3 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET 75V 3.5mOhm N-Channel | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB160NF3LLT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB16N65M5 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Ch MDMesh V 650V 0.270 Ohm 12A D2PAK | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB16NF06LT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB16NF25 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 60 Volt 25 Amp Power Mosfet D2PAK | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
STB16NK65Z-S | STMicroelectronics | I2PAK | MOSFET N Ch 650 V 0.38 Ohm 13A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB16NM50N | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N Ch 25V 0.0015 38A Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB16NS25T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB16PF06LT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿... | ||||||
|
|
STB170NF04 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | 711 | MOSFET N-CH 40V STripFET 80A | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB180N55F3 | STMicroelectronics | D2PAK | 2,169 | MOSFET Lo Vltg fast Swtch PNP Pwr transistor | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
STB185N55F3 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压... | ||||||
332/1327 首页 上页 [327] [328] [329] [330] [331] [332] [333] [334] [335] [336] [337] 下页 尾页
