| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6322C_Q | Fairchild Semiconductor | SSOT-6 | 2975 | MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+... | ||||||
|
FDC6323L | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET SSOT-6 LOAD SW 8V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，配置：Dual，最大工... | ||||||
|
|
FDC6324L | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET SSOT-6 LOAD SW 20V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，配置：Dual，最大工... | ||||||
|
|
FDC6324L_Q | Fairchild Semiconductor | SSOT-6 | MOSFET SSOT-6 LOAD SW 20V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：1.5 A，配置：D... | ||||||
|
|
F10F50VX3 | Shindengen | MOSFET Mosfet | |||
| 参数：制造商：Shindengen，包装形式：Bulk，... | ||||||
|
|
F1E50VX3 | Shindengen | MOSFET Mosfet | |||
| 参数：制造商：Shindengen，... | ||||||
|
|
F12ZP50VX3 | Shindengen | MOSFET Mosfet | |||
| 参数：制造商：Shindengen，包装形式：Reel - 13 in，... | ||||||
|
|
F13F50VX3 | Shindengen | MOSFET Mosfet | |||
| 参数：制造商：Shindengen，包装形式：Bulk，... | ||||||
|
CET3904E | Central Semiconductor | MOSFET NPN | |||
| 参数：制造商：Central Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
CET3906E | Central Semiconductor | MOSFET PNP | |||
| 参数：制造商：Central Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
CAS100H12AM1 | Cree, Inc. | 模块 | MOSFET 1200V, 100A MODULE SIC Z-FET, Z-REC | ||
| 参数：制造商：Cree, Inc.，RoHS：否，汲极/源极击穿电压：1.2 kV，闸/源击穿电压：- 5 V, + 20 V，漏极连续电流：165 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
TK20S04K3L(T6L1,NQ | Toshiba | DPAK+ | MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TK20S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | DPAK+ | MOSFET N-Ch MOS 20A 60V 38W 780pF 0.029 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TK20X60U(TE24L,Q) | Toshiba | TFP | MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
TK22E10N1,S1X | Toshiba | TO-220 | MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Bulk，... | ||||||
|
|
TK25E06K3,S1X(S | Toshiba | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 60V 25A Rdson 0.046 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
TK2A65D(STA4,Q,M) | Toshiba | TO-220SIS | MOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
TK2P60D(TE16L1,NQ) | Toshiba | PW-MOLD | MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
TK2Q60D(Q) | Toshiba | TO-251-3 短截引线，IPak | MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
TK30E06N1,S1X | Toshiba | TO-220-3 | MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Bulk，... | ||||||
258/1326 首页 上页 [253] [254] [255] [256] [257] [258] [259] [260] [261] [262] [263] 下页 尾页
