| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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EMH2314-TL-H | ON Semiconductor | 8-EMH | MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，漏极连续电流：- 5 A，电阻汲极/源... | ||||||
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EMH2407-S-TL-H | ON Semiconductor | 8-EMH | MOSFET | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：2... | ||||||
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EMH2407-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES | |||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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EMH2408-TL-H | ON Semiconductor | 8-EMH | MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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EMH2409-TL-H | ON Semiconductor | 8-EMH | MOSFET PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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EMH2411R-TL-H | ON Semiconductor | 8-EMH | MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：5 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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EMH2412-TL-H | ON Semiconductor | 8-EMH | MOSFET PCH+SBDSWITCHING DEVICE | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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EMH2801-TL-H | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET SWITCHING DEVICE | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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EM5K5T2R | ROHM Semiconductor | EMT5 | 42 | MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N Chan, 30V, 0.3A | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：... | ||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | EMT6 | 836 | MOSFET FET Dual Pch -20V -200mA EMT6 | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：200 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：E... | ||||||
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EM6K1T2R | ROHM Semiconductor | EMT6 | 44,679 | MOSFET 2N-CH 30V .1A | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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EM6K6T2R | ROHM Semiconductor | EMT6 | 20,428 | MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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EM6K7T2R | ROHM Semiconductor | EMT6 | 2,354 | MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1，... | ||||||
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EM6M1T2R | ROHM Semiconductor | EMT6 | MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A | ||
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏... | ||||||
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EM6M2T2R | ROHM Semiconductor | EMT6 | 122,154 | MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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EMH1303-TL-E | ON Semiconductor | EMH-8 | MOSFET POWER MOSFET | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：10 V，漏极连续电流：7... | ||||||
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EMH1405-P-TL-H | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：8.5 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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DRDC3105E6-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET Transistor Array SOT Array SOT26 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DRDC3105F-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 380,694 | MOSFET Transistor Array SOT Array SOT23 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DN3525N8 | Supertex | SOT-89 | MOSFET 250V 6Ohm | ||
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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