| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FZ1000R33HL3 | Infineon Technologies | IHVB130 | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FZ1200R12HE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ1200R12HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 1200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ1200R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | 1 | IGBT 模块 1200V 1200A SINGLE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FZ1200R12KF5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 1200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ1200R12KL4C | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1200V 1200A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ1200R16KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1600V 1200A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FZ1200R16KF4S1 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1600V 1200A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter Common ... | ||||||
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FZ1200R17HE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ1200R17HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ1200R17HP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ1200R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.8KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FZ1200R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.9KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FZ1200R17KF4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.2KA | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集电极—发射极最... | ||||||
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FZ1200R17KF4C | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ1200R17KF6_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ1200R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.95KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集... | ||||||
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FZ1200R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 1200A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ1200R33KF2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 U 641-FZ1200R33KF2C | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitter Common Gate... | ||||||
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FZ2400R12KE3_B9 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 3.2KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集... | ||||||
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