FZ1200R33KF2

厂家：: Infineon Technologies
封装：: IHM130
数量：: 8784
说明：: IGBT 模块 U 641-FZ1200R33KF2C

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FZ1200R33KF2 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：IHM130
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：14.7 KW
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：2000 A
集电极—射极饱和电压：3.4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V
配置：Triple Common Emitter Common Gate
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
制造商：Infineon

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