| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FF1400R12IP4 | Infineon Technologies | PRIME3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 1.4KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF150R12KE3_B8 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF150R12KE3G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF150R12KE3G_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，工厂包装数量：10，... | ||||||
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FF150R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF150R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，工厂包装数量：10，... | ||||||
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FF150R12KT3G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF150R12ME3G | Infineon Technologies | EconoDUAL-3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：... | ||||||
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FF150R12MS4G | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF150R12MT4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF150R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF150R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 20 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF150R17ME3G | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 240A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF200R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 600V 260A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FF200R06ME3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF200R06YE3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FF200R06YE3ENG | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FF1000R17IE4 | Infineon Technologies | PRIME3 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.39KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1000A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF100R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 100A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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