| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BGA7350,115 | NXP Semiconductors | 32-HVQFN（5x5） | 射频放大器 250MHz 30dB 5V 240mA | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：30 dB，工作频率：50 MHz to 250 MHz，工作电源电压：5 V，封装形式：SO... | ||||||
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BGA7350,515 | NXP Semiconductors | 32-HVQFN（5x5） | 射频放大器 50MHz to 250MHz Si variable gain amp | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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BGA7351,115 | NXP Semiconductors | 32-HVQFN（5x5） | 射频放大器 250MHz 34dB 5V 240mA | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：34 dB，工作频率：50 MHz to 250 MHz，工作电源电压：5 V，封装形式：SO... | ||||||
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BGA7351,515 | NXP Semiconductors | 32-HVQFN（5x5） | 射频放大器 Hi LinearAmp 250MHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：6 dB，工作频率：50 MHz to 250 MHz，工作电源电... | ||||||
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BGA735L16E6327XT | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BGA755L16E6327XT | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BGA925L6E6327XTSA1 | Infineon Technologies | TSLP-6-2 | 射频放大器 RF SILICON MMIC | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BGB 707L7ESD E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 5167 | 射频放大器 RF BIP TRANSISTORS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：100 mW，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：0.7 dB，工作频率：2... | ||||||
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BGB 717L7ESD E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 7470 | 射频放大器 RF BIP TRANSISTORS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：100 mW，最小工作温度：- 55 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数... | ||||||
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BGB 717L7ESD E6433 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 射频放大器 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：100 mW，最小工作温度：- 55 C，安装风格：SMD/SMT，... | ||||||
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BGB 741L7ESD E6327 | Infineon Technologies | TSLP-7-1 | 6660 | 射频放大器 RF BIP TRANSISTORS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，最大工作温度：+ 150 C，最大功率耗散：120 mW，最小工作温度：- 55 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数... | ||||||
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BGE787B | NXP Semiconductors | SOT-115 | 射频放大器 CATV MODULES | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：14 dB，安装风格：SMD/SMT，工作频率：750 MHz，工作电源电压：24 V，封装形... | ||||||
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BGE787B,112 | NXP Semiconductors | SOT115J | 射频放大器 CATV MODULES | ||
| 参数：NXP USA Inc.|散装|-|停产|-|-|-|-|-|底座安装|SOT-115J|SOT115J|... | ||||||
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BGE788 | NXP Semiconductors | SOT-115 | 射频放大器 BULK CATV | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：14 dB，安装风格：SMD/SMT，工作频率：750 MHz，封装形式：SOT-115，包装... | ||||||
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BGE788,112 | NXP Semiconductors | SOT115J | 射频放大器 BULK CATV | ||
| 参数：NXP USA Inc.|散装|-|停产|CATV|推挽式|1|-|-|305 mA|-|-|底座安装|SOT-115J|SOT115J... | ||||||
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BGE788C,112 | NXP Semiconductors | SOT115J | 射频放大器 RF Amp MOD SGL Push Pull Amp 25V 7-Pin | ||
| 参数：NXP USA Inc.|管件|-|停产|CATV|推挽式|1|-|-|305 mA|-|-|底座安装|SOT-115J|SOT115J... | ||||||
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BGE885 | NXP Semiconductors | SOT-115 | 射频放大器 BULK CATV-MOD | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频放大器，RoHS：是，输入返回损失：10 dB，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 20 C，安装风格：SMD/SMT... | ||||||
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BGE885,112 | NXP Semiconductors | SFM9 | 射频放大器 BULK CATV-MOD | ||
| 参数：NXP USA Inc.|散装|-|停产|-|-|-|-|-|底座安装|SOT-115D|SFM9|... | ||||||
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BGA700L16E6327XT | Infineon Technologies | 射频放大器 RF SILICON MMIC | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频放大器，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
SOT89.jpg)
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BGA7024,115 | NXP Semiconductors | SOT-89-3 | 730 | 射频放大器 2.7GHz 4dB 5V 125mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C，安装风格：SMD/SMT，噪声系数：4 dB，工作频率：400 MHz t... | ||||||
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