| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BFG590/X,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：5000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
SOT223-1.jpg)
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BFG591,115 | NXP Semiconductors | SC-73 | 射频双极小信号晶体管 NPN 15V 7GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：7000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG67 T/R | NXP Semiconductors | SOT-143 | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG67,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG67,235 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：10 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V，集... | ||||||
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BFG67/X,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG92A/X,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 25mA 400mW 65 5GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 V，集电极... | ||||||
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BFG93A,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，晶体管极性：NPN，最大工作频率：6000 MHz，... | ||||||
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BFG93A/X,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 12V 35mA 300mW 40 6GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2 V，集电极... | ||||||
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BFG94,115 | NXP Semiconductors | SC-73 | 射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：4000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG97,115 | NXP Semiconductors | SC-73 | 射频双极小信号晶体管 NPN 15V 5.5GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：5500 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
SOT223-1.jpg)
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BFG97,135 | NXP Semiconductors | SC-73 | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 100mA 1W 25 5.5GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V，发射极 - 基极电压 VEBO：3 V，集电极... | ||||||
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BF494_J35Z | Fairchild Semiconductor | TO-92 | 射频双极小信号晶体管 NPN RF-IF AMPLIFIER | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大... | ||||||
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BF240_D74Z | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：11... | ||||||
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BF240 | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：15... | ||||||
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BF199_D74Z | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN RF-IF AMPLIFIER | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：11... | ||||||
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BF199_J35Z | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN RF-IF AMPLIFIER | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：11... | ||||||
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BF199 | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：11... | ||||||
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BF 771 E6765N | Infineon Technologies | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频双极小信号晶体管，晶体管极性：NPN，最大工作频率：8 GHz，集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V，发射极 - ... | ||||||
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BF 886 H6327 | Infineon Technologies | 射频双极小信号晶体管 Hi Perform Bipolar NPN RF Transistor | |||
| 参数：制造商：Infineon，系列：BF886，零件号别名：BF886H6327XT BF886H6327XTSA1 SP000834798，... | ||||||
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