| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXGQ20N120BD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 20 Amps 1200 V 3.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGQ240N30PB | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 POLAR IGBTS PDP APP 300V 500A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXGQ28N120B | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGQ28N120BD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 28 Amps 1200 V 3.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGQ30N60C2D4 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 G-series A2,B2,C2 | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXGQ35N120BD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 35 Amps 1200 V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGQ50N60B4D1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 PT Trench IGBTs Power Device | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXGQ85N33PCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 340 Amps 330V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 V，栅极/发射极最大电压：+/- 30 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGQ90N27PB | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 340 Amps 270V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：270 V，栅极/发射极最大电压：+/- 30 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGQ90N33TC | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 TRENCH IGBTS 330V 360A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXGQ90N33TCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 V，集电极—射极饱和电压：1.8 V，栅极/发射极最大电压：20 ... | ||||||
|
|
IXGQ96N30TBD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXGQ96N30TCD1 | Ixys | TO-3P | IGBT 晶体管 TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
IXGR120N60B | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 76 Amps 600V 2.1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
IXGR120N60C2 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.7 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
IXGR12N60C | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 15 Amps 600V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGR16N170AH1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 8 Amps 1700V 5.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：5 V，栅极/发射极最大电压：+/- ... | ||||||
|
|
IXGR24N120C3D1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 48 Amps 1200V 2.75 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGR24N120C3H1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 48 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXGR24N60B | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 45 Amps 600 V 2.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
78/163 首页 上页 [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] 下页 尾页
