IXGQ90N33TCD1

厂家：: Ixys
封装：: TO-3P
数量：: 1962
说明：: IGBT 晶体管 G-series A,B,C

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IXGQ90N33TCD1 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：200 W
栅极—射极漏泄电流：200 nA
在25 C的连续集电极电流：90 A
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—射极饱和电压：1.8 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：330 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：IXYS

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