图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IHW15N120R | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+... | ||||||
IHW15N120R2 | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 KV,集电极—射极饱和电压:1... | ||||||
IHW15N120R3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body | ||||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Tube,零件号别名:IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3XK SP000521590,... | ||||||
IHW15T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 KV,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
IHW20N120R | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+... | ||||||
IHW20N120R2 | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 KV,集电极—射极饱和电压:1... | ||||||
IHW20N120R3 | Infineon Technologies | TO247-3 | 227 | IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body | ||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:1.48 V,栅极/发射极最大... | ||||||
IHW20N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 | |||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.35 kV,集电极—射极饱和电压:1.8 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在2... | ||||||
IHW20T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 20A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 KV,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
IHW25N120R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 KV,集电极—射极饱和电压:1... | ||||||
IHW30N100R | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1000V 30A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1 KV,集电极—射极饱和电压:1.7... | ||||||
IHW30N100T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1000V 30A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1 KV,集电极—射极饱和电压:1.5... | ||||||
IHW30N110R3 | Infineon Technologies | TO-247 | 187 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1100 V,集电极—射极饱和电压:1... | ||||||
IHW30N120R | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+... | ||||||
IHW30N120R2 | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 KV,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
IHW30N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
IHW30N120R3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.35 kV,集电极—射极饱和电压:1.85 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在... | ||||||
IHW30N160R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.6 KV,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
IHW30N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.... |
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