IHW20N120R3

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO247-3
数量：: 1514
说明：: IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

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IHW20N120R3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3XK SP000437702
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Tube
封装形式：TO247-3
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：310 W
栅极—射极漏泄电流：100 nA
在25 C的连续集电极电流：40 A
栅极/发射极最大电压：6.4 V
集电极—射极饱和电压：1.48 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Infineon

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