| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FD150R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT 1200V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD300R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | IGBT 晶体管 1200V 300A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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FCBS0650 | Fairchild Semiconductor | 27-PowerDIP 模块（1.205"，30.60mm） | IGBT 晶体管 500V SMART PWR MOD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，封装形式：SPM27-BA，包装形式：Tube，安装风格：SM... | ||||||
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FCAS50SN60 | Fairchild Semiconductor | 27-PowerDIP 模块（1.205"，30.60mm） | IGBT 晶体管 HIGH_POWER | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，功率耗散：110... | ||||||
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FD400R33KF2C | Infineon Technologies | IHM 130X140-7 | IGBT 晶体管 3300V 400A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 V，集电极—射极饱和电压：3.... | ||||||
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DF300R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | IGBT 晶体管 1200V 300A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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DF200R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | 5 | IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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DD600S17K6C-B2 | Infineon Technologies | IHM 130X140 | IGBT 晶体管 1700V 600A F/DIODE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，封装形式：IHM 130X140，安装风格：Screw，工厂包装数量：2，... | ||||||
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DD401S17K6C-B2 | Infineon Technologies | IHM 73X140 | IGBT 晶体管 1700V 400A F/DIODE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，封装形式：IHM 73X140，安装风格：Screw，工厂包装数量：2，... | ||||||
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GT10G131(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOP（5.5x6.0） | IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 200A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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GT10J303(Q) | Toshiba | TO-220(NIS)-3 | IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... | ||||||
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GT10J312(Q) | Toshiba | TO-220SM | IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... | ||||||
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GT10J321(Q) | Toshiba | TO-220(NIS)-3 | IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：25 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... | ||||||
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GT10Q101(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶体管 1200V/10A DIS | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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GT10Q301(Q) | Toshiba | IGBT 晶体管 IGBT, 1200V, 10A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：50，... | ||||||
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GT15J301(Q) | Toshiba | TO-220(NIS)-3 | IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 15A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
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GT15J311(Q) | Toshiba | TO-220FL/SM-3 | IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 15A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... | ||||||
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GT15J321(Q) | Toshiba | TO-220 NIS | 166 | IGBT 晶体管 600V/15A DIS+FRD | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
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GT15J331(TE24L,Q) | Toshiba | TO-220 SM | IGBT 晶体管 IGBT 600V 15A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，封装形式：TO-220 SM，安装风格：Through Hole，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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GT15Q102(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶体管 1200V/15A DIS | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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