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GT10J303(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-220(NIS)-3
数量：
 927  
说明：
 IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A
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GT10J303(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
安装风格：Through Hole
集电极最大连续电流 Ic：10 A
封装形式：TO-220(NIS)-3
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
制造商：Toshiba

以上是GT10J303(Q)的详细信息，包括GT10J303(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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