GT10J303(Q)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-220(NIS)-3
数量:
 927  
说明:
 IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A
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GT10J303(Q) PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:50
安装风格:Through Hole
集电极最大连续电流 Ic:10 A
封装形式:TO-220(NIS)-3
最大工作温度:+ 150 C
栅极/发射极最大电压:20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Single
制造商:Toshiba

以上是GT10J303(Q)的详细信息,包括GT10J303(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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