| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FGH30N60LSDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 PDD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH30N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V SMPS | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH30N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH30S130P | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1300V 30A FS SA Trench IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1300 V，集电极—射极饱和电压：... | ||||||
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FGH40N120ANTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1200V NPT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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FGH40N60SFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 117 | IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH40N60SFTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 289 | IGBT 晶体管 N-CH / 40A 600V FS Planar | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH40N60SMD | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 600V, 40A Field Stop IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：2.1 V，在25 C的连续集电极电流：80 A，栅极—射极漏泄电流... | ||||||
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FGH40N60SMDF | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FGH40N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH40N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH40N65UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 N-ch / 40A 650V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 ... | ||||||
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FGH40N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH40N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH40T100SMD | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，集电极—射极饱和电压：2.3 V，栅极/发... | ||||||
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FGH40T65UPD | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射... | ||||||
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FGH50N3 | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 300V PT N-Channel | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGH50N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH50N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH50T65UPD | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 437 | IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V，集电极—射极饱和电压：2.1 V，栅极/发射... | ||||||
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