FGH40T65UPD

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-247-3
数量：: 8181
说明：: IGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W

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中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：268 W
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：80 A
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—射极饱和电压：2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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