| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FGB30N6S2DT | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGB30N6S2T | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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FGB3236_F085 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：800，... | ||||||
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FGB40N60SM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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FGB40N6S2 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGB40N6S2T | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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FGB5N60UNDF | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V 5A NPT IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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FGB7N60UNDF | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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FGD2N40L | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 400V N-Channel Logic Level | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 ... | ||||||
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FGD3040G2_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-252 | 2459 | IGBT 晶体管 EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V，集电极—射极饱和电压：1.15 V，栅极/发... | ||||||
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FGD3440G2_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-252 | 4401 | IGBT 晶体管 EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V，集电极—射极饱和电压：1.1 V，栅极/发射... | ||||||
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FGD3N60LSDTM | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 600V IGBT HID Application | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGD4536TM | Fairchild Semiconductor | DPAK | 2393 | IGBT 晶体管 360V PDP IGBT | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：360 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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FGH20N60SFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH20N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH20N6S2 | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH20N6S2D | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 Comp N-Ch 600V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGH25N120FTDS | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1200V 25A Field Stop Trench IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：150，... | ||||||
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FGH30N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 N-CH/1200V 30A FS Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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FGH30N60LSD | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶体管 1.1V 30A High Speed | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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