FGB7N60UNDF

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 8910
说明：: IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT

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FGB7N60UNDF PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-263AB (D2 PAK)
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：83 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 10 uA
在25 C的连续集电极电流：14 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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